7月31日，韩国存储器大厂SK海力士宣布今年资本支出追加至9.6万亿韩元（约86.1亿美元），进行3D NAND Flash和DRAM两大存储器扩产。此金额比年初宣布数字高出37%，也比该公司去年的设备投资总额高出53%。市场正密切注意三星和美光的动作，担心DRAM涨势将提前画下句点。
SK海力士上修资本支出，目的在于想让新厂提前完工。SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主，南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年，如今将提早至2018年第4季，比预定时间提早半年。
据海外媒体报道，从2016年下半年到今年上半年以来，DRAM均价飙升了17%、NAND 均价攀涨了12%，主要是由于存储器进入制程转换，产能大减，使得厂商无不撒钱扩产。虽然SK海力士强调这次投资只要用于技术升级，即使新厂落成，也不会造成整体存储器暴增，估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%，不会造成存储器供过于求。但市调机构IC Insights认为，未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西数、武汉新芯、长江存储，都大举提高3D NAND Flash产能，而且未来还有新厂商也会加入战场，3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。
